حافظه انقلابی اینتل 1000 برابر پرسرعتتر از حافظههای امروزی است!
اینتل و میکرون در اطلاعیهای مشترک از تولید حافظهای انقلابی و کاملا جدید خبر دادهاند که سرعتی بسیار فراتر از حافظههای SSD امروزی دارد.
اینتل و میکرون میگویند حافظه کاملا جدیدی اختراع کردهاند که دارای تراکم بیشتر، مقاومتی بیشتر و سرعتی بسیار بالاتر از حافظههای کنونی بازار است.
در کنفرانسی که دیروز توسط این دو شرکت مطرح حوزه سختافزارهای نیمهرسانا برگزار شد، از تکنولوژی جدیدی به نام 3D Xpoint پردهبرداری شد که در گروه حافظههای غیرفرار (Non-Volatile) قرار میگیرد و به ادعای سازندگانش تا 1000 برابر پرسرعتتر از حافظههای NAND است که امروزه در ساخت SSD ها و فلش مموریها کاربرد دارد.
ساختار 3D Xpoint به ترانزیستورهای امروزی وابستگی ندارد و در عوض مادهای که هر کدام از سلولهای این حافظه را تشکیل داده است، حالت فیزیکی خود را تغییر میدهند و مقاومت الکتریکی بالا و پایین ایجاد میکنند. مقاومت الکتریکی بالا و پایین به ترتیب بهمعنی 1 و 0 خواهد بود که مبنای ذخیره و خواندن اطلاعات است.
در این ساختار، سلولها در الگویی سهبعدی بر روی یکدیگر قرار گرفتهاند تا به ادعای محققین اینتل، 10 برابر متراکمتر از حافظههای امروزی باشد. اینتل میگوید این اولینبار پس از سال 1989 است که کلاس جدیدی از حافظهها به بازار عرضه میشود.