logo1398

با اعطاء مدرک بین المللی فنی و حرفه ای | جهت دریافت وام و ارائه مدرک به اتحادیه های صنفی

ثبت نام  آنلاین    شهریه دوره ها 

اولین حافظه‌ 3D NAND توشیبا

پس از سامسونگ حالا توشیبا نیز نسبت به تولید حافظه‌های مبتنی بر فناوری 3D Nand گام برداشته است تا همه چیز برای همگانی شدن این فناوری و حضور آن در گجت‌های مختلف فراهم شود.
به نظر می ‌رسد آینده دنیای حافظه‌ ها در دستان فناوری 3D NAND است. ۶ ماه پیش کمپانی سامسونگ اولین محصول مبتنی بر این فناوری را معرفی کرد. شرکت توشیبا با معرفی محصولی مبتنی بر فناوری 3D NAND نشان داد که برنامه ‌های ویژه ‌ای برای تولید این نوع از حافظه ‌ها دارد. این کمپانی نمونه اولیه یک حافظه ۴۸ لایه‌ ای ۱۲۸ گیگابیتی (۱۶ گیگابایت) را معرفی کرده است.
ساختار 3D NAND توشیبا BiCS نام دارد که مخفف عبارت Bit Cost Scaling به معنای «مقیاس ‌بندی هزینه بیت» است. همچون ساختار TCAT که شرکت سامسونگ از آن در محصولاتش بهره برده است ، ساختار BiCS نیز طراحی قدیمی «گیت شناور» (Floating Gate) را کنار گذاشته و از یک تله شارژ تولید شده از ماده عایق برای کاهش نشت الکترون استفاده می‌ کند. با این حال به نظر می‌رسد از نظر ساختاری و امکان تولید، BiCS کاملا متفاوت از TCAT باشد.
در ابتدا شرکت توشیبا محصولات 3D NAND را در کارخانه شماره ۵ خود در یوکایچی ژاپن تولید خواهد کرد، اما ممکن است کارخانه شماره ۲ نیز که در همین منطقه در حال احداث است، در نیمه اول سال ۲۰۱۶ برای تولید همین نوع حافظه‌ ها مورد استفاده قرار بگیرد که منجر به افزایش محصولات 3D NAND تولید شده توسط توشیبا خواهد شد. در حالی که نمونه ‌های اولیه  وارد بازار شده‌ اند، احتمالا محصولات نهایی یک سال بعد آماده فروش خواهند شد.
ممکن است با توجه به آن که توشیبا مستقیما به سوی طراحی ۴۸ لایه ‌ای رفته، شرکت سامسونگ نیز در سال جاری به پیرو همین طراحی باشد. حتی می‌ توان انتظار داشت، دو کمپانی دیگر اینتل و میکرون نیز محصول خودشان را بر مبنای این فناوری معرفی کنند. با این شرایط به نظر می ‌رسد سال آینده میلادی حافظه‌ های 3D NAND راه خود را به گجت‌های ما باز کنند و کم ‌کم جایگزین فناوری قدیمی را شوند.
نویسنده : سیامک احدی
زومیت


 

ستاره غیر فعالستاره غیر فعالستاره غیر فعالستاره غیر فعالستاره غیر فعال
 

آشنایی بیشتر با بازار کار

ecu fannikar.com